IT之家 4 月 30 日消息，英特尔新任 CEO 陈立武今日在美国加州圣何塞举行的 Intel Foundry Direct Connect 2025 活动中亮相，概述了公司在晶圆厂代工项目上的进展。
陈立武宣布，公司现在正在与即将推出的 14A 工艺节点（1.4nm 等效）的主要客户进行接触，这是 18A 工艺节点的后续一代。
英特尔已有几个客户计划流片 14A 测试芯片，这些芯片现在配备了公司增强版的背面电源传输技术，称为 PowerDirect。
英特尔尚未给出 14A 明确的时间表。如果一切按计划进行，14A 将成为行业首个采用 HighNA EUV 光刻技术的节点。台积电的 A14 竞争对手节点预计将在 2028 年到来，但预计不会在生产中使用 HighNA 技术。
陈立武还透露，公司的关键 18A 节点现在处于风险生产阶段，预计今年晚些时候将开始量产。
英特尔还透露其新的 18AP（IT之家注：18A 节点的性能版本）现在正在晶圆厂中运行，早期晶圆也已投产。
此外，英特尔官宣正在开发新的 18APT 版本，该版本支持 Foveros Direct 3D，采用混合键合互连，使英特尔能够在其最先进的领先节点上垂直堆叠晶圆。
Foveros Direct 3D 技术是一个关键的发展，因为它提供了一种竞争对手台积电已在生产中使用的功能，最著名的是 AMD 的 3D VCache 产品。事实上，英特尔在关键互连密度测量方面的实现与台积电的产品相匹配。
在成熟的节点方面，英特尔晶圆厂现在有了首个 16nm 量产晶圆，该公司现在也在与联电合作开发 12nm 节点。
封装方面，英特尔晶圆厂提供基于英特尔 14A 在英特尔 18APT 上的系统级集成，通过 Foveros Direct（3D 堆叠）和嵌入式多芯片互连桥接（2.5D 桥接）连接。
新的高级封装技术产品包括 EMIBT，以实现未来的高带宽内存需求，以及 Foveros 架构的两个新补充：FoverosR 和 FoverosB，为顾客提供额外的灵活选项。
制造方面，英特尔亚利桑那州的 Fab 52 晶圆厂成功“全流程运行”，标志着通过该设施加工了第一块晶圆。英特尔 18A 的大规模生产将在俄勒冈州的英特尔工厂开始，而亚利桑那州的制造将在今年晚些时候扩大。